FMUSER Originální nový MRF171A RF výkonový tranzistor Napájení MOSFET-RF Transistor-FMUSER Vysílání FM / TV One-Stop dodavatel

FMUSER Originální nový MRF171A RF výkonový tranzistor Výkonový tranzistor MOSFET Popis Navržen primárně pro širokopásmový výstup velkého signálu a stupně budiče od 30–200 MHz. Vlastnosti ● Režim N – Channel Enhancement MOSFET ● Vynikající tepelná stabilita vhodná pro provoz Cass A ● Zaručený výkon při 150 MHz, 28 Vss: Výstupní výkon = 45 W, ● Zisk výkonu = 17 dB (min) 'Účinnost = 60% (min) ● Typická data pro aplikace výkonových zesilovačů v průmyslových, ● komerčních a amatérských rádiových zařízeních: ● Typický výkon při 30 MHz, 28 Vdc: Výstupní výkon = 30 W, Výkon ● Zisk = 20 dB (Typ.) (PEP), Účinnost = 50 % (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

Detail

Předchozí:FMUSER Originální nový MRF173 RF výkonový tranzistor Výkonový MOSFET tranzistor

Další:MRFE6VP5300N RF MOSFETOVÝ TRANSISTOR

Cena (USD)	Pocet (PCS)	Vodní doprava (USD)	Celkem (USD)	Způsob dopravy	Platba
56	1	0	56	letecká pošta
				letecká pošta

FMUSER Původní Nové MRF171A Výkon RF tranzistoru MOSFET Tranzistor

Popis

Určeno především pro širokopásmový výstup velkého signálu a ovladač stupně od 30–200 MHz.

Funkce

●N – Channel Enhancement Mode MOSFET
●Vynikající tepelná stabilita vhodná pro provoz Cass A.
●Zaručený výkon při 150 MHz, 28 Vdc: výstupní výkon = 45 W,
●Zisk energie = 17 dB (min) 'Účinnost = 60% (min)
●Typická data pro aplikace výkonových zesilovačů v průmyslu,

●Komerční a amatérské rádiové vybavení:

●Typický výkon při 30 MHz, 28 Vdc: výstupní výkon = 30 W, výkon

●zisk = 20 dB (typ.) (PEP), účinnost = 50% (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (typ.)
●Zlatý top metal
●Nízký Crss - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% testováno na nesoulad zatížení ve všech fázových úhlech s 30: 1 VSWR
●Usnadňuje manuální řízení zisku, ALC a modulační techniky