FMUSER Originální nový MGF2430A RF výkonový tranzistor Napájení MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER Vysílání FM / TV One-Stop dodavatel

FMUSER Originální nový MGF2430A RF výkonový tranzistor Výkonový MOSFET tranzistor POPIS MGF2430A, GaAs FET s N-kanálovým schottkygate, je určen pro zesilovače pásma L až Ku. VLASTNOSTI ● Vysoký výstupní výkon P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz ● Vysoký lineární zisk GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz ● Vysoký výkon s přidanou účinností P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Hermeticky uzavřený kovový obal APLIKACE ● Pro výkonové zesilovače v pásmu L až Ku KVALITA ● VÝKRES IGOUTLINE DOPORUČENÉ PODMÍNKY BIAS ● Vds = 10 V Ids = 300 mA Rg = 500 ● Absolutní maximální jmenovité hodnoty ● Napětí brány VGDO na zdroj ● Napětí VGSO na zdroj ● ● IDSS Satu

Detail

Předchozí:1 PCS MRFE6VP5300N originální RF tranzistor

Další:FMUSER Originální nový MRF173 RF výkonový tranzistor Výkonový MOSFET tranzistor

Cena (USD)	Pocet (PCS)	Vodní doprava (USD)	Celkem (USD)	Způsob dopravy	Platba
69	1	0	69	letecká pošta
				letecká pošta

FMUSER Originální nový MGF2430A RF výkonový tranzistorový výkon MOSFET Tranzistor

POPIS

MGF2430A, GaAs FET s N-kanálovou schottkygate, je určen pro zesilovače pásma L až Ku.

FUNKCE

●Vysoký výstupní výkon P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz

●Vysoký lineární zisk GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

●Vysoká účinnost s přidanou účinností P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB

●Hermeticky uzavřený kovový obal APLIKACE

●Pro výkonové zesilovače v pásmu L až Ku KVALITA

●VÝKRES IGOUTLINE

DOPORUČENÉ PODMÍNKY BIAS

●Vds = 10 V Ids = 300 mA Rg = 500
●Absolutní maximální hodnocení
●VGDO Gate to Source Voltage
●VGSO Brána ke zdroji napětí
●Nasycený odběrový proud IDSS
●IGR Proud reverzní brány
●Proud brány IGF vpřed
●PT * 1 Celkový ztrátový výkon
●Teplota Tch Cannel

●Tstg Skladovací teplota * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)